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全部光刻镀膜刻蚀掺杂封装外延检测可靠性其它建议

设备名称: 电子束蒸发 Ei-5z（B203）
型号: Ei-5z【Ti、Al、AuGe、Au、Pt生长】
状态: 正常空闲
用途: 一、典型应用：用于蒸发Ti、Al、Ni、Cr等普通金属和AuGe、Pt、Au等贵重金属，部分金属最大蒸发厚度可至1000nm。二、原理：高真空环境下，电子枪灯丝加热后，发射热电子，热电子受电场加速，获得很大的动能，在永磁铁或电磁铁的约束下，偏转到蒸发源表面，轰击材料并使其汽化，从而达到蒸发的目的。三、备注：①一次可蒸镀两寸片最多74片，2寸片小架子4片，四寸片24片，六寸片8片，样品尺寸向下兼容，更换行星架需多预约1h，薄膜不均匀性≤±5%。 ②由于加班时无人员轮换，每日17:30-18:30时为加班人员短暂休息和用餐时间，涉及到贵重金属的使用时,需有工作人员在场，非工艺特别赶的情况，请尽量避开预约此段时间。③ 单次工艺1.5小时起预约。④预约备注生长金属种类和厚度，不备注生长材料及厚度，工艺强制取消。请提前10分钟到场准备样品，过时15分钟视为工艺取消。⑤ 严禁不按平台规定恶意占用机时，如有发现取消其设备独立使用资格。

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设备名称: 8英寸Ni电化学沉积（F507）
型号: EPM311F
状态: 正常空闲
用途: 一．典型应用：Ni电化学沉积。二．工作原理：基于电化学原理和电流传导，在被镀物体表面发生的电化学反应。通常，被镀物体作为阴极，而金属离子Ni+为阳极。在电解质溶液中，金属离子从阳极释放，经过电解质导电液体的传导，最终在被镀物体表面还原成金属。通过控制电流密度、温度、电解液成分和其他因素，可以调整电镀过程，以实现所需的镀层性质。三．备注：1.只可电镀镍金属，8英寸500元/μm,6英寸300元/μm。2.沉积前精确确认待镀面积。 3.工艺前需提前做好种子层以及前处理。4.特殊需求和疑问可以联系工作人员。

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设备名称: KLA P7（B304）
型号: P7【高精度台阶仪】
状态: 正常空闲
用途: 一、典型应用：半导体工艺制程表面形貌表征。二、原理：台阶仪主要的工作就是用于测量，当其触针在被测的物体表面轻轻滑过时，接触体表面微小的峰谷就会让触针在进行滑行的同时也做一些上下运动。而当传感器输出的信号经过测量的电桥之后，输出的信号与触针的平衡位子的位移此刻成正比，调幅信号也随之出现，经过放大和整流之后，位移信号就从调幅信号中解调出来了，也就能在控制器中被读出来。三、备注：1.测试取放样品时，必须将探针抬到高处； 2.测试样品时，如有人等待使用不得超过15min； 3.设备预约培训，半小时起，培训三次后通过考核可以获得登录账号。

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设备名称: STS PECVD (B202)
型号: STS PECVD【350℃生长SiNx】
状态: 维护中
用途: 一、典型应用：主要用于350℃ SiNx生长。二、原理：等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术是借助于辉光放电等离子体使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长的一种制备技术。它是通过反应气体放电来制备薄膜的，有效地利用了非平衡等离子体的反应特征，从根本上改变了反应体系的能量供给方式。三、备注：1.累计沉积厚度最多为3μm，沉积厚度接近3μm需清洗2h，此类工艺请至少提前一个工作日预约，以便设备做好相应准备； 2.一次可放置两寸片5片，四寸片和六寸片1片； 3.若有疑问，请致电62872627或者在预约备注中注明详细要求，否则后果需客户自己承担。

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设备名称: 电子束蒸发EBE-07（B203）
型号: EBE-07【Ti、Ni、Cr、Au生长】
状态: 正常空闲
用途: 一、典型应用：蒸发Ti、Ni、Cr等普通金属薄膜、Au等贵重金属，部分金属最大蒸发厚度可至1000nm。二、原理：高真空环境下，电子枪灯丝加热后，发射热电子，热电子受电场加速，获得很大的动能，在永磁铁或电磁铁的约束下，偏转到蒸发源表面，轰击材料并使其汽化，从而达到蒸发的目的。三、备注：①一次可蒸镀两寸片30片，四寸片6片，六寸片6片，向下尺寸兼容，薄膜不均匀性≤±5%。 ②由于加班时无人员轮换，每日17:30-18:30时为加班人员短暂休息和用餐时间，涉及到贵重金属的使用，工艺时需有工作人员在场，非工艺特别赶的情况，请尽量避开预约此段时间。③ 单次工艺1.5小时起预约。超过350nm预约1.5h以上，超过1μm预约时间2h以上。④预约备注生长金属种类和厚度，不备注生长材料及厚度，工艺强制取消。请提前10分钟到场准备样品，过时15分钟视为工艺取消。⑤ 严禁不按平台规定恶意占用机时，如有发现取消其设备独立使用资格。

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设备名称: 4英寸涂胶显影机（F509）
型号: DNS80B 1N1D
状态: 正常空闲
用途: 一．典型应用：适用于4英寸（直径99mm）非透明样品进行涂胶、显影工作。二．工作原理：该设备配备高精度的电机，利用精密的机械装置和微电脑控制系统，实现高准度温度、时间控制和转速监控等功能。三．备注：1.透明样品不可进行工艺。2.非完整样品不可进行工艺。 3.当前设备只能完成直径99cm样品涂胶和显影工艺，若样品大小为标准4英寸（100mm）则不能进行工艺。4.当前设备配有AZ5214光刻胶。5.特殊需求和疑问可以联系工作人员。

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设备名称: 8英寸IBE（F502）
型号: IBE刻蚀机
状态: 正常工作中
用途: 离子束刻蚀机，属于纯物理过程。等离子体放电，Ar气体解离成带正电的离子，离子加速获得能量轰击到被刻蚀材料表面，原子击出，从而达到刻蚀目的。主要用于刻蚀金属Au、Ti、Ni、Mo、Cr、Cu、Al以及其他半导体材料。设备兼容4、6、8inch标准wafer，Loadlock式腔体设计。

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设备名称: 8英寸LPCVD-POLY Si（B301）
型号: 01
状态: 正常空闲
用途: 一、典型应用：微机械结构层材料、牺牲层、绝缘层、掩模材料。二、原理：低压化学气相沉积（简称LPCVD）是利用硅烷(SiH4)在600-680℃的温度下，和在低于大气压的环境中），热分解在样品表面沉积多晶硅。三、备注：1.本设备兼容6/8英寸样品；表面有金属或易挥发/升华物质不接收2.由于样品不符合标准导致的工艺无法进行，审核通过产生的费用无法更改且正常收费；3.收费标准：机时费1200元/小时，材料费200元/100nm；4.蓝宝石样品易碎，工艺前考虑风险或与工作人员沟通增加预约时间以低温进出。

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